特許

J-GLOBAL ID：200903084858742034

薄膜形成方法

発明者： 速水 俊一 ,  川合 知二 ,  田畑 仁
出願人/特許権者： ミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217101
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059087
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【課題】 配向性が優れている薄膜をガラス基板上に形成する。【解決手段】 成膜前に、ガラス基板16を1Nの水酸化ナトリウム又は1Nの水酸化バリウムの水溶液(液温度40°C)に10分間浸漬した後、軽く純水で洗浄しておく。ガラス基板16の温度を500°C、成膜室10内の酸素ガス圧を6×10-4Torrに設定する。レーザ光Lは窓部11から成膜室10へ導入され、ZnOターゲット15を照射する。ターゲット15はレーザ光の照射によって成膜材料を放出し、これらの成膜材料はガラス基板16上に堆積/結晶化してZnO薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板表面をアルカリ金属又はアルカリ土類金属の少なくともいずれか一方の元素を含む物質に晒した後、前記ガラス基板上に成膜材料を堆積/結晶化して薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (7件)：

C30B 23/00 ,  B01J 19/12 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 41/18 ,  C03C 17/34

FI (8件)：

C30B 23/00 ,  B01J 19/12 G ,  B01J 19/12 B ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  C03C 17/34 Z ,  H01L 41/18 101 Z