特許
J-GLOBAL ID：200903084863602550
フレア構造半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153195
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023133
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】 ワットクラスの高出力レベルまで安定に横基本モードで動作し、しかも製造の歩留まりが高く、特性再現性の良好なフレア構造半導体レーザを提供する。【構成】 フレア構造半導体レーザにおいて、横モードの制御構造としてリッジ導波構造を採用するとともに、その外側領域で活性層をとぎらせる、ないし全て除去した放射モード抑制領域30を形成した。
請求項（抜粋）：
活性層幅が共振器方向に変化するフレア構造半導体レーザにおいて、活性導波路が横方向にリッジ導波構造となっており、かつ前記リッジ構造の活性導波路に沿って少なくともその外側の一部に活性導波路が除去された放射モード防止領域が形成されていることを特徴とするフレア構造半導体レーザ。
引用特許：
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