特許
J-GLOBAL ID：200903084865766399
パターン珪素基板に対するアルミニウムの選択蒸着法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109913
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041747
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 従来の物理蒸着法は集積回路の寸法が0.5マイクロメートル以下の場合、十分な工程処理が極めて困難となるので、本質的に相似する方法であるが、横縦比が大きく寸法の非常に小さいものでも相似的に被覆できる化学蒸着法を用いる。【構成】 改善された方法は銅アルミニウム合金の薄膜のパターン酸化珪素への蒸着を提供するものである。既存のパターンに適合する銅ベースの層を先づ基板の表面に形成し、その後、アルミニウムを基板の前記銅ベースの層部分に選択的に蒸着させるアミンアラン化合物の蒸気と接触させる。【効果】 所望の銅アルミニウム合金の構造である銅のアルミニウムに対する均質分布に繋がる。銅は更に低温で珪素に容易に拡散するため、それを防ぐ拡散隔壁をもたらすことである。
請求項（抜粋）：
珪素基板に酸化物層を被覆し、その後、前記酸化物層の部分をエッチングして取り除いて露出珪素のパターンを形成させて形成したパターン珪素基板にアルミニウムを選択蒸着させる方法であって、(a) 銅ベースの層を前記基板の露出珪素部分に蒸着させてパターン銅ベース層を形成する工程と;(b) その後、前記パターン銅ベース層をアミンアラン化合物と25°C乃至180°Cの温度で接触させて、前記基板の前記パターン銅ベース層部分にアルミニウムを選択的に蒸着させる工程と;からなる蒸着法。
IPC (3件)：
C23C 16/02
, C23C 16/18
, H01L 21/285
