特許

J-GLOBAL ID：200903084866289519

スルーホールの形成方法

発明者： 日▲高▼ 宗徳
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015637
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213455
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 サイドデポの発生を抑制できるスルーホールの形成方法の提供。【構成】 上側TiN膜14上に、第1開口部16を有する第1マスクパターン18を形成する。この第1開口部16の内径L1 は、後工程で形成するスルーホールの開口部の内径L2 よりも広くする。次に、この第1マスクパターン18を介して、この上側TiN膜14に対してエッチングを行ってTiN開口部20を形成する。次に、残存TiN膜14aおよびこのTiN開口部20に露出した合金配線12部分の上に、層間膜22を形成する。次に、この層間膜22上に、TiN開口部20の内側の領域に第2開口部28を有する第2マスクパターン30を形成する。次に、この第2マスクパターン30を介して、層間膜22に対してエッチングを行って、合金配線12に達するスルーホール32を形成する。

請求項（抜粋）：

層間膜を貫通して、上側TiN膜および下側TiN膜に挟まれた配線に達するスルーホールを形成するにあたり、前記配線の上側に設けられた上側TiN膜上に、第1開口部を有する第1マスクパターンを形成する工程と、該第1マスクパターンを介して、該上側TiN膜に対してエッチングを行って、該第1開口部に露出した当該上側TiN膜部分を除去して、TiN開口部を形成する工程と、該TiN開口部を形成した後、残存TiN膜および該TiN開口部に露出した前記配線部分の上に、層間膜を形成する工程と、該層間膜上に、前記TiN開口部の内側の領域に第2開口部を有する第2マスクパターンを形成する工程と、該第2マスクパターンを介して、前記層間膜に対してエッチングを行って、前記配線に達するスルーホールを形成する工程と、前記第2マスクパターンを除去する工程とを含むことを特徴とするスルーホールの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 M