特許
J-GLOBAL ID：200903084867049520
金属ベース基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240843
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082930
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 スルーホールの制約を受ける事なく自由に、高密度に導電体を形成することができる金属ベース基板を得ることができる。【構成】 金属ベース層20は、金属層1と接続ランド2で構成され、金属層1と接続ランド2は電気的に独立している。金属ベース層20の両面には、導電体層4と絶縁層3を設け、導電体層4は接続ランド2を介して電気的に接続している。
請求項（抜粋）：
金属層およびこの金属層と電気的に独立した接続ランドで形成した金属ベース層、並びにこの金属ベース層の両面に設けた、所定領域に導電体層を配設した絶縁層を備え、上記導電体層が上記接続ランドを介して電気的に接続するようにした金属ベース基板。
IPC (3件)：
H05K 1/05
, H05K 1/11
, H05K 3/46
