特許

J-GLOBAL ID：200903084876166334

半導体集積回路チツプ実装用基板

発明者： 原田 茂樹 ,  村竹 清 ,  井上 英俊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164362
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013610
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体集積回路チップに発生する熱を基板を通して放熱する半導体集積回路チップ実装用基板に関し、半導体集積回路チップを支持する回路基板が熱伝導性の不充分な材料で構成されていても充分な放熱効果が可能な実装用基板を提供することを目的とする。【構成】 セラミック基板2と、このセラミック基板2の上に形成された良熱伝導性材料層3と、この良熱伝導性材料層3の上に形成された薄膜多層配線層4を有し、この薄膜多層配線層4には厚さ方向に設けられた開口内に良熱伝導性材料が充填された複数のサーマルビア5が形成されており、この薄膜多層配線層5上に実装される半導体集積回路チップ7で発生する熱をこのサーマルビア5によってこの良熱伝導性材料層3に伝導して放熱するように構成した。

請求項（抜粋）：

セラミック基板と、該セラミック基板の上に形成された良熱伝導性材料層と、該良熱伝導性材料層の上に形成された薄膜多層配線層を有し、該薄膜多層配線層にはその厚さ方向に設けられた開口内に良熱伝導性材料が充填された複数のサーマルビアが形成されており、該薄膜多層配線層上に実装される半導体集積回路チップで発生する熱を該サーマルビアによって該良熱伝導性材料層に伝導して放熱するようにしたことを特徴とする半導体集積回路チップ実装用基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/36

FI (4件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/36 D