特許
J-GLOBAL ID:200903084881916872

パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-281673
公開番号(公開出願番号):特開平7-201727
出願日: 1994年11月16日
公開日(公表日): 1995年08月04日
要約:
【要約】【構成】 基体上に反応中間体が存在するときの吸光度が0.1以上1.5以下の範囲の感光性膜を形成し、前記感光性膜を露光した後、前記感光性膜を現像する。【効果】 エキシマレーザ光を用いて露光した場合でも、断面が垂直な形状を有するパターンを形成することができる。
請求項(抜粋):
基体上に反応中間体が存在するときの吸光度が0.1以上1.5以下の範囲の感光性膜を形成する工程と、前記感光性膜を露光する工程と、前記露光後に前記感光性膜を現像する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/004 507 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26

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