特許

J-GLOBAL ID：200903084894581187

ITO導電膜およびその製造方法

発明者： 中田 幸伸 ,  西岡 幸也 ,  音琴 秀則 ,  片山 幹雄 ,  高濱 学 ,  嶋田 吉祐
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-286489
公開番号（公開出願番号）：特開平6-139844
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 透明度が良好で膜厚が一定な、比抵抗が低いITO導電膜を再現性よく得る。【構成】 酸化インジウムと酸化錫との混合物に窒素をドーピングする。これをターゲット29としてスパッタリングを行うことにより、基板22上にITO導電膜を成膜する。この時、ターゲットから飛散する窒素により、スパッタ室内に吸着されている酸素や水分による不純ガスがこの窒素により置換緩和される。また、成膜されたITO導電膜中に窒素が取り込まれ、この窒素はドナーとして作用する。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムと酸化錫との混合物に窒素をドーピングしたターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成された窒素を含むITO導電膜。

IPC (4件)：

H01B 13/00 503 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-245803   出願人：キヤノン株式会社