特許
J-GLOBAL ID:200903084894999866

ホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-306229
公開番号(公開出願番号):特開2004-142958
出願日: 2002年10月21日
公開日(公表日): 2004年05月20日
要約:
【課題】半導体特性を有しており、直線状で且つ配向性を有するホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】化学的気相成長法によって作製したカーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
カーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させることを特徴とするホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法。
IPC (1件):
C01B31/02
FI (1件):
C01B31/02 101F
Fターム (21件):
4G146AA11 ,  4G146AA17 ,  4G146AA29 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BA38 ,  4G146BA40 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC35A ,  4G146BC35B ,  4G146BC43 ,  4G146CA08 ,  4G146CA20 ,  4G146DA32

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