特許
J-GLOBAL ID:200903084894999866
ホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブおよびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-306229
公開番号(公開出願番号):特開2004-142958
出願日: 2002年10月21日
公開日(公表日): 2004年05月20日
要約:
【課題】半導体特性を有しており、直線状で且つ配向性を有するホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】化学的気相成長法によって作製したカーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
カーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させることを特徴とするホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (21件):
4G146AA11
, 4G146AA17
, 4G146AA29
, 4G146AD30
, 4G146BA04
, 4G146BA38
, 4G146BA40
, 4G146BC03
, 4G146BC23
, 4G146BC32A
, 4G146BC32B
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC34A
, 4G146BC34B
, 4G146BC35A
, 4G146BC35B
, 4G146BC43
, 4G146CA08
, 4G146CA20
, 4G146DA32
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