特許

J-GLOBAL ID：200903084897838626

化合物半導体上への炭素系薄膜の形成方法

発明者： 渡久地 實 ,  比嘉 晃
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353902
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158124
出願日： 2001年11月20日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 活性水素に化学的に敏感な化合物半導体上への絶縁膜、保護膜およびヒートシンク膜の形成において、均一で付着強度の高い炭素系薄膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 活性水素に化学的に敏感な化合物半導体表面に、固体炭素をターゲット16とし、反応室6において、不活性ガス雰囲気下で行うスパッタ法により炭素あるいは炭素を主成分とした炭素系薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

活性水素に化学的に敏感な化合物半導体表面に、固体炭素をターゲットとし、不活性ガス雰囲気下で行うスパッタ法により炭素または炭素を主成分とした膜を形成する化合物半導体上への炭素系薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/314 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/314 A ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/90 K

Fターム (18件)：

4K029AA04 ,  4K029BA34 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  5F033GG01 ,  5F033RR01 ,  5F033SS08 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC20 ,  5F058BF12 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-308324