特許
J-GLOBAL ID：200903084911007481
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083529
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013615
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ゲート電極上の層間絶縁膜にHF系エッチング液を用いてコンタクト窓を開口する際に、ゲート電極下のゲート絶縁膜をHF系エッチング液によるエッチング破壊から保護し、素子特性の劣化を防止して歩留りを向上させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】透明基板10上にポリSi半導体層12、ゲートSiO2 膜14、Al膜16を順に形成し、更に耐HF性及び導電性を有するTiN保護膜18を形成する。TiN保護膜18及びAl膜16をパターニングして、上面がTiN保護膜18によって覆われたAlゲート電極16aを形成する。全面にPSG層間絶縁膜26を堆積した後、TiN保護膜18上のPSG層間絶縁膜26をHF系エッチング液を用いて選択的にエッチングし、TiN保護膜18上にコンタクト窓28を開口する。
請求項（抜粋）：
半導体基板又は絶縁基板上の半導体層と、前記半導体基板表面又は前記半導体層に不純物を添加して形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域間に挟まれたチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、全面に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口したコンタクト窓を介して前記ゲート電極に接続する配線層とを有する半導体装置の製造方法において、前記ゲート電極と前記層間絶縁膜との間に、耐弗酸性及び導電性を有する第1の保護膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を弗酸系エッチング液を用いて選択的にエッチング除去して、前記第1の保護膜上に前記コンタクト窓を開口する工程と、前記コンタクト窓内の前記第1の保護膜を介して前記ゲート電極に接続する前記配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
