特許

J-GLOBAL ID：200903084916410926

プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 近島 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207435
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050675
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 高速エッチングが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】 絶縁体基板102をエッチングするためのエッチング室101の周囲に無終端環状導波管109を配すると共に無終端環状導波管109に複数の開口部を形成する。そして、この複数の開口部からエッチング室101へ供給されるマイクロ波にて発生する高密度、大面積かつ均一なプラズマによりレジストパターンが形成された絶縁体基板102の表面をエッチングし、レジストパターンに沿って所定の幅と深さを有する溝を高速に形成する。

請求項（抜粋）：

レジストパターンが形成された絶縁体基板表面をプラズマを用いてエッチングし、前記レジストパターンに沿って所定の幅と深さを有する溝を形成するプラズマエッチング方法において、前記絶縁体基板をエッチングするためのエッチング室の周囲に無終端環状導波管を配すると共に前記無終端環状導波管に複数の開口部を形成する一方、前記複数の開口部から前記エッチング室へ供給されるマイクロ波にて発生する高密度、大面積かつ均一なプラズマにより前記エッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/40 521

FI (4件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  G03F 7/40 521