特許
J-GLOBAL ID：200903084919691691
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178950
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347408
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 少なくともドレイン領域を囲んで基板と同じ導電型で基板より高濃度な拡散層が設けられているMOSトランジスタにおいて、チャネルに直列の抵抗成分を減少させる。【構成】 N型シリコン基板2にはP型不純物が高濃度に注入されたドレイン領域8とソース領域10が形成され、ドレイン領域8とソース領域10をそれぞれ取り囲むように基板2よりも高濃度なN型ポケット拡散層12,14が形成されている。ドレイン領域8とソース領域10のチャネル側にはドレイン領域8、ソース領域10の接合深さよりも浅い接合深さをもつP型不純物拡散層で、その濃度がポケット拡散層12,14と同程度のP型不純物拡散層20,22がポケット拡散層12,14よりもチャネル側に突出して形成されている。P型不純物拡散層20,22がドレイン領域8,ソース領域10よりもチャネル側に突出しているので、ポケット拡散層12,14の存在にも拘らず、ドレイン領域表面及びソース領域表面の抵抗値の増大を抑えている。
請求項（抜粋）：
ソース領域とドレイン領域のうち、少なくともドレイン領域側の高濃度不純物領域全体を囲んでドレイン領域と反対導電型で基板又はウエルの不純物濃度よりも高濃度の不純物拡散層が設けられており、ドレイン領域と同じ導電型でドレイン領域よりは低濃度でドレイン領域と反対導電型の前記不純物拡散層と同程度の濃度をもち、ドレイン領域の接合深さよりも浅い接合深さをもち、ドレイン領域よりもチャネル側に突出した不純物拡散層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 D
, H01L 29/78 301 S
