特許

J-GLOBAL ID：200903084929455678

固体撮像素子

発明者： 杉本 大
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-186832
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007997
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 電荷転送効率を落とすことなく、低抵抗、低容量の転送電極が実現でき、伝搬遅延を抑える。【解決手段】 Si基板110の内部には受光部や電荷転送部が設けられ、その上層にSiO2 等の絶縁膜112を介して多結晶Si等による転送電極114が設けられている。各転送電極114は、それぞれ固体撮像素子の受光部を避けるようなパターンで形成されており、垂直転送レジスタの電荷転送部に沿う部分は、各転送電極114が互いに近接して配置されている。各転送電極114は、その縁部114Aが外側方向に向けて階段形の薄肉状に形成されている。したがって、各転送電極114の隣接部分では、それぞれの縁部114Aが互いに接近して配置されているが、各縁部114Aの互いの対向面積は従来に比べて小さいものとなっており、この部分に生じる容量は抑制されたものとなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成した電荷転送部の上層に単層構造で転送電極パターンを配置した固体撮像素子において、前記転送電極パターンの互いに隣接して配置される縁部の断面形状が、隣接する縁部に近づく方向に薄肉状に形成されている、ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B

Fターム (14件)：

4M118AA03 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118DA18 ,  4M118DA20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  4M118EA17 ,  4M118FA06 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX00