半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266268
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120216
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】0.3-0.5ミクロン幅の金属配線において信頼性の高い配線を得る。【構成】コンタクトを形成したのち、(タングステンのブランケット成長+エッチバック)法またはシラン還元によるタングステンの選択成長法によりコンタクト孔をタングステンで埋め戻す。金または銀膜を270-300°Cの加熱下で1500-2000Å形成したのち、250-350°Cの加熱下でAl-Cuを0.4-1.0 ミクロン形成することを特徴とする。【効果】270-300°Cで形成した金または銀膜の結晶面は(111)への強い配向性を示す。この上に形成されたAl-Cuも下地の影響により(111)への強い配向性をもつ。配線のエレクトロマイグレ-ション寿命は、この(111)への配向性が高いほど長くなり、信頼性の高い配線を得ることが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたMOSトランジスタや抵抗などの素子を有する半導体装置においてゲート配線、ソース・ドレイン,層間絶縁膜を形成したのち(1)コンタクトを開口する(2)コンタクト孔内をタングステンにて埋める(3)シリコン基板を270-300°Cに加熱し銀膜を1500-2000Å形成する(4)再度シリコン基板を250-350°Cに加熱し,配線用AL-Cuを0.4-1.0ミクロン形成する(5)フォトエッチを経て金属配線が形成される以上の工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 29/78 301 Y

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