特許

J-GLOBAL ID：200903084942179400

半導体製造装置における加熱炉

発明者： 糠塚 勝 ,  仁科 壮一郎
出願人/特許権者： 神鋼電機株式会社
代理人 (1件)： 斎藤 春弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232065
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造装置における加熱炉において、石英チューブが軟化し易い高温状態でも所定の処理時間(例えば10〜20回程度のバッチ処理)は十分使用できるようにするため。【構成】 ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボトムアップ構造の石英チューブを配置し、前記ボトムアップ構造の石英チューブの外側にボトムアップ構造のステンレス鋼製外枠を配置して、前記SiCボートの外側に封入されるH2及び前記石英チューブの外側に封入されるN2が漏れないような2重構造とし、前記SiCボートの外側のH2の真空引きを行うとき同時に前記石英チューブの外側のN2も真空引きを行うことにより、両者の気圧の圧力差をなくすることができるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置における加熱炉であって、ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボトムアップ構造の石英チューブを配置し、前記ボトムアップ構造の石英チューブの外側にボトムアップ構造のステンレス鋼製外枠を配置して、前記SiCボートの外側に封入されるH2及び前記石英チューブの外側に封入されるN2が漏れないような2重構造とし、前記SiCボートの外側のH2の真空引きを行うとき同時に前記石英チューブの外側のN2も真空引きを行うことにより、両者の気圧の圧力差をなくするようにしたことを特徴とする半導体製造装置における加熱炉。

IPC (4件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324