特許
J-GLOBAL ID：200903084943571265
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305777
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145068
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 金属-酸窒化絶縁膜-半導体(MIS)構造部分を有する半導体装置のMIS構造部分の形成を従来より簡易に行なえる方法を提供する。【構成】 シリコン基板11のMIS構造部分形成予定領域上にタングステン酸化膜13を形成する。タングステン酸化膜13形成済みのシリコン基板11をN2 OガスまたはNH3 ガスを含む水素雰囲気中で熱処理する。水分量が分圧比でいって0.01〜1%の範囲となるようにN2 OガスまたはNH3 ガスの混合量を決める。温度は500〜1200°Cの範囲とする。【効果】 シリコン基板11のタングステン酸化膜13と接している部分に酸窒化絶縁膜15が形成できる。また、タングステン酸化膜13が還元されタングステン膜13aとなるのでゲート電極として使用できる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に酸窒化絶縁膜及び金属膜をこの順に積層した構造部分を有する半導体装置を製造するに当たり、前記構造部分の形成を、シリコン基板の当該構造部分形成予定領域上に金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜形成済みのシリコン基板を窒素を含む還元性雰囲気中で熱処理する工程とを含む工程で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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