特許
J-GLOBAL ID:200903084944745712
窒化珪素粉末、窒化珪素焼結体及びそれを用いた回路基板
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-159162
公開番号(公開出願番号):特開平9-328365
出願日: 1996年05月31日
公開日(公表日): 1997年12月22日
要約:
【要約】【課題】強度、破壊靱性がともに優れた窒化珪素焼結体と前記窒化珪素焼結体を特殊な焼結法を要せずに得る窒化珪素粉末、並びに電子部品等の熱放散性に優れる回路基板を提供する。【解決手段】窒化珪素粉末が、α率が70〜98重量%の窒化珪素粉末であって、0.6μm以下のβ型窒化珪素粒子が該窒化珪素粉末中に2〜15重量%含有され、しかも該窒化珪素中に含まれるβ型窒化珪素粒子全量に対し40重量%以上がんゆうされている窒化珪素粉末であり、窒化珪素焼結体が、中心部と周辺部とが識別できる窒化珪素粒子を含有し、前記中心部の短軸径が0.5μm以下の窒化珪素粒子を前記中心部と周辺部とが識別できる窒化珪素粒子全量の80個数%以上含有する窒化珪素焼結体であり、前記窒化珪素焼結体を用いたことを特徴とする回路基板である。
請求項(抜粋):
α率が70〜98重量%の窒化珪素粉末であって、粒子径0.6μm以下のβ型窒化珪素粒子が該窒化珪素粉末中に2〜15重量%含有され、しかも該窒化珪素粉末中に含まれるβ型窒化珪素粒子全量に対し40重量%以上含有されていることを特徴とする窒化珪素粉末。
IPC (2件):
C04B 35/584
, H05K 1/03 610
FI (2件):
C04B 35/58 102 A
, H05K 1/03 610 D
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