半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-084706
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255833
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比が高い電気的導通孔でのアルミニウム系金属配線の信頼性を高めた半導体装置の製造方法をを提供する。【構成】アルミニウム系金属下層配線2上に、絶縁膜3を形成する工程と、絶縁膜3に、アルミニウム系金属下層配線2に通じる電気的導通孔5を形成する工程と、アルミニウム系金属下層配線2を加熱することにより、電気的導通孔5内に、該アルミニウム系金属下層配線2の一部を隆起させる工程と、少なくとも電気的導通孔5内に上層配線11を形成する工程を有する。

請求項（抜粋）：

アルミニウム系金属下層配線上に、絶縁膜を形成する工程と;前記絶縁膜に、前記アルミニウム系金属下層配線に通じる電気的導通孔を形成する工程と;前記アルミニウム系金属下層配線を加熱することにより、前記電気的導通孔内に、該アルミニウム系金属下層配線の一部を隆起させる工程と;少なくとも前記電気的導通孔内に上層配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 N , H01L 21/88 R

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