特許
J-GLOBAL ID：200903084948408923
酸素センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284006
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113781
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 優れた特性と高い信頼性を有する酸素センサを提供する。【構成】 ポーラスなアルミナ基板1に予め印刷焼成によりPtアノード電極端子部2及びカソード電極端子部3が所定間隔をもって形成される。この基板1上のアノード電極端子部2及びカソード電極端子部3により挟まれた領域に、スパッタによりPtアノード電極4,安定化ジルコニア膜5及びPtカソード電極6がこの順に積層形成される。アノード電極4及びカソード電極6の一部はそれぞれアノード電極端子部2及びカソード電極端子部3に接合される。この薄膜積層体上には、一部が拡散律速性を持つ酸素ガス供給部71,72として基板周辺に導出されたポーラスな絶縁膜7が形成され、この絶縁膜7の酸素ガス供給部71,72を除く領域を覆って封止層8が形成される。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に所定間隔をおいて印刷焼成により形成されたアノード電極端子部及びカソード電極端子部と、これらアノード電極端子部及びカソード電極端子部により挟まれた領域の前記基板上にアノード電極,酸化物イオン伝導体膜及びカソード電極がこの順に積層形成されて、アノード電極及びカソード電極の一部がそれぞれそれぞれ前記アノード電極端子部及びカソード電極端子部に接合された薄膜積層体と、この薄膜積層体上に形成され一部が拡散律速性を持つ酸素ガス供給部として基板周辺に導出されたポーラスな絶縁膜と、この絶縁膜の前記酸素ガス供給部を除く領域を覆って形成された封止層とを有することを特徴とする酸素センサ。
FI (2件)：
G01N 27/46 325 J
, G01N 27/46 325 D
