金属錯体及び金属薄膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-044764
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235287
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】成膜速度が大きく、気化残留物が残り難く、蒸発終了温度が低い金属錯体を提供する。【解決手段】下記一般式で表される金属錯体。この金属錯体を分解させることにより反応炉中に配置された基板上に金属薄膜を堆積させる金属薄膜形成方法。【化13】【効果】半導体装置の配線材料等として有用な各種金属薄膜を容易かつ効率的に形成することができる。

請求項（抜粋）：

下記一般式?@又は?Aで表される金属錯体。【化1】

IPC (9件)：

C07F 1/08 , C07F 1/10 , C07F 15/00 , C07F 15/06 , C07F 17/00 , C07F 17/02 , C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (11件)：

C07F 1/08 A , C07F 1/10 , C07F 15/00 A , C07F 15/00 B , C07F 15/00 F , C07F 15/06 , C07F 17/00 , C07F 17/02 , C23C 16/18 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

アクリロニトリル二量体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055328 出願人：旭化成工業株式会社
有機イリジウム化合物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-109541 出願人：三菱マテリアル株式会社
特開昭58-154595

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