特許
J-GLOBAL ID：200903084951098544
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268541
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082910
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体発光装置、特に波長600nm帯の可視光領域半導体レーザのような半導体発光装置の改良に関し、高温成長による良好な結晶性を有するダブルヘテロ構造と低温成長による良質なダブルヘテロ構造/コンタクト層界面とを兼備した半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 p型GaAs基板(1)上に、AlGaInPまたはAlInPのクラッド層(5、7)でGaInPまたはAlGaInPの活性層(6)を上下から挟んだダブルヘテロ構造(5、6、7)を設けた半導体発光装置において、該ダブルヘテロ構造の上層部分であるn型のAlGaInPまたはAlInPのクラッド層(7)と、その上方のn型GaAsのコンタクト層(8)との間に、n型GaInPの中間層(9)を挿入して構成する。
請求項（抜粋）：
p型GaAs基板(1)上に、AlGaInPまたはAlInPのクラッド層(5、7)でGaInPまたはAlGaInPの活性層(6)を上下から挟んだダブルヘテロ構造(5、6、7)を設けた半導体発光装置において、該ダブルヘテロ構造の上層部分であるn型のAlGaInPまたはAlInPのクラッド層(7)と、その上方のn型GaAsのコンタクト層(8)との間に、n型GaInPの中間層(9)が介在することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00
