特許

J-GLOBAL ID：200903084951545850

薄膜太陽電池

発明者： 山岸 英雄 ,  佐藤 一夫
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社 ,  旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182214
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026787
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 裏面電極層を構成するAg層の硫化を抑制することにより、長期間にわたる屋外使用にも高い信頼性を維持できる太陽電池を、その光電変換特性を劣化させることなく提供せんとするものである。【解決手段】 透明基体(1)上に、透明電極層(2)、シリコンを主成分とする半導体層(3)、裏面電極層(4)が順に形成されてなる薄膜太陽電池において、裏面電極層(4)が、Agを主成分としPdを含有する層を有し、Agを主成分としPdを含有する層中の透明基体に近い部分のPd含有量が、Agを主成分としPdを含有する層中の透明基体と遠い部分のPd含有量よりも低いことを特徴とする薄膜太陽電池。

請求項（抜粋）：

透明基体上に、透明電極層、シリコンを主成分とする半導体層、裏面電極層が順に形成されてなる薄膜太陽電池において、裏面電極層が、Agを主成分としPdを含有する層を有し、Agを主成分としPdを含有する層中の透明基体に近い部分のPd含有量が、Agを主成分としPdを含有する層中の透明基体と遠い部分のPd含有量よりも低いことを特徴とする薄膜太陽電池。