特許
J-GLOBAL ID：200903084953557694
金属膜パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168034
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010159
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：
【要約】【目的】電磁アクチュエータの平面コイルのような金属パターンをめっき法により高アスペクト比、高精度で形成する。【構成】めっきフレームを基板面に垂直方向にエッチングされにくい面方位をもつ微結晶膜、例えば微結晶酸化亜鉛膜で形成することにより、異方性エッチングで切り立った側壁をもつめっきフレームが得られる。従ってめっき金属パターンの側壁も切り立っており、高いアンペアターンの電機子を作製できる。
請求項（抜粋）：
導電性基板上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜の表面上に耐エッチングマスクを形成し、そのマスクで覆われない絶縁膜の表面からエッチングして基板表面に達するまで絶縁膜を除去し、絶縁膜の除去された部分に電気めっきにより金属膜で充填することによって所望の金属膜パターンを形成する方法であって、絶縁膜が表面にほぼ垂直にエッチングされにくい面方位をもつ異方性の微結晶よりなることを特徴とする金属膜パターン形成方法。
IPC (2件)：
C23F 1/00 102
, H01L 21/302
