特許
J-GLOBAL ID：200903084957906880
昇圧トランス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355756
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188132
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】一次巻線と二次巻線間の絶縁破壊を防止でき、薄型化が可能な構造とする。【構成】突き合わされて閉磁路を形成する一対のコア10・70と、コア10に一体成形された二つの巻軸11・12と、巻軸11に巻回された一次巻線20と、巻軸12に巻回された二次巻線30と、コア10の側面に固定された絶縁ベース40と、ベース40の側面に植設された端子50とを具え、二次巻線30を内側から外側に向かって多層に整列巻きするとともに、一次巻線20と二次巻線30のリード線を、それぞれベース40の異なる側面の端子50に接続する。
請求項（抜粋）：
絶縁性の磁性体からなり、互いに突き合わされて閉磁路を形成する一対のコアと、いずれか一方のコアに一体に形成され同一方向に突出した二つの巻軸と、一方の巻軸に巻回された一次巻線と、他方の巻軸に巻回された二次巻線と、一方のコアの側面に固定された絶縁体からなるベースと、該ベースの側面に植設された複数の端子とを具え、二次巻線を内側から外側に向かって多層に整列巻きするとともに、一次巻線と二次巻線のリード線を、それぞれベースの異なる側面に植設された端子に接続したことを特徴とする昇圧トランス。
引用特許：
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