MISキャパシターとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151480
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338588
出願日： 1993年05月29日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】高信頼性を有し、局部的な耐圧低下のない高精度MISキャパシター及びその製造方法を提供する。【構成】キャパシターを構成している電極であるポリシリコン3等とアルミニウム7等との両電極3,7間の絶縁膜(シリコン窒化膜5等)が該キャパシター以外の領域も含めて一平面上に存在する。これにより、MISを構成する絶縁膜の均一性が向上し、高信頼性が確保でき、形状に起因する電界集中がなくなり耐圧の低下を防止でき、MISキャパシターが2次元的に(平面で)形成されるので、容量値がパターン面積のみで決定されて精度が向上する。

請求項（抜粋）：

キャパシターを構成している電極間の絶縁膜が該キャパシター以外の領域も含めて一平面上に存在することを特徴とするMISキャパシター。

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