特許

J-GLOBAL ID：200903084969538495

ATM層装置

発明者： チャールズ ケヴィン ハスクロフト ,  ジョン アール ブラッドショー ,  ケニス エム バックランド ,  リッカード ジー ドーボロ ,  ディヴィッド ダブリュー ウォン
出願人/特許権者： ピーエムシー-シエラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185699
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107369
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 ATM物理層装置とATMスイッチとの間のインターフェイスを行うのに必要とされる機能のすべてを行う単一のATM層装置を提供すること。【解決手段】 物理層装置とATMスイッチとの間のインターフェイスを行うためのATM層装置は、スイッチに入ってくる予定のセルに対してスイッチルーティング情報をプリペンディングおよびポストペンディングし、且つスイッチを去ったセルからそのような情報を除去するための手段を備える。

請求項（抜粋）：

物理層装置とATMスイッチとの間のインターフェイスを行うためのATM層装置において、前記スイッチに入ってくる予定のセルに対してスイッチルーティング情報をプリペンディングおよびポストペンディングし、且つ前記スイッチを去ったセルからそのような情報を除去するための手段を備えることを特徴とするATM層装置。

IPC (2件)：

H04L 12/28 ,  H04Q 3/00

FI (2件)：

H04L 11/20 D ,  H04Q 3/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ATMセル転送方式
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-189624   出願人：日本電気株式会社