特許
J-GLOBAL ID：200903084971887669
微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-037773
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234963
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【構成】 パターニングによる加工を必要とする層が形成された基板の表面にパターニング用のネガ型フォトレジストを塗布する工程、パターニング露光により密集パターンと疎パターンとの組み合わせによる密度の異なったパターンを前記ネガ型フォトレジストに転写し、現像する工程、パターニングされた前記ネガ型フォトレジストをマスクとしてパターン疎密依存性を与える条件下でエッチングする工程とを含む微細パターン形成方法。【効果】 ネガ型レジストを用いたマスクパターンの基板へのパターン転写と、パターン疎密依存性のあるエッチング条件によるエッチングとを組み合わせることにより、できあがり加工精度を向上させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
パターニングによる加工を必要とする層が形成された基板の表面にパターニング用のネガ型フォトレジストを塗布する工程、パターニング露光により密集パターンと疎パターンとの組み合わせによる密度の異なったパターンを前記ネガ型フォトレジストに転写し、現像する工程、パターニングされた前記ネガ型フォトレジストをマスクとしてパターン疎密依存性を与える条件下でエッチングする工程とを含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
引用特許：
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