特許
J-GLOBAL ID：200903084972919610
半導体製造装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163104
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349749
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】半導体製造装置に於いて、処理後のウェーハの冷却効果を向上させ、又クリーンユニットの寿命の延長を図るものである。【構成】反応炉1から引出されたボート5を収納するボート収納室10、該ボート収納室を少なくとも循環路の一部に含むクリーンガス循環系を有する半導体製造装置に於いて、前記クリーンガス循環系が冷気器15を有し、循環するクリーンガスの温度の上昇を抑制する。
請求項（抜粋）：
反応炉から引出されたボートを収納するボート収納室、該ボート収納室を少なくとも循環路の一部に含むクリーンガス循環系を有する半導体製造装置に於いて、前記クリーンガス循環系が冷気器を具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02
, H01L 21/22
