特許

J-GLOBAL ID：200903084975191766

半導体装置の電極形成方法と実装体

発明者： 別所 芳宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300124
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136151
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置と回路基板とを容易に、かつ、信頼性良く接続することのできる半導体装置の電極形成方法と実装体を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置のIC基板1のアルミ電極パッド2部上に突起状のバンプ電極3を備え、バンプ電極3上に半田濡れ性のない基材5から半田7を効率よく転写することにより、バンプ電極3と転写された半田7からなる電極を形成するもので、この半田7を介してフェースダウンで半導体装置を回路基板上の端子電極に電気的に接続する実装体を得るものである。【効果】 転写によるバンプ電極3への半田7の形成により半導体装置の汚染を回避でき、かつ、突起状のバンプ電極3により接合層の広がりの規制が可能となり、微細ピッチでの接合が実現できる。

請求項（抜粋）：

フェースダウンで回路基板に実装する半導体装置の電極形成方法において、半導体装置のアルミ電極パッド部上に突起状のバンプ電極を備え、別に用意した半田濡れ性のない基材上に電極パターンに合わせて形成した半田ペーストに上記バンプ電極を接触させた後、半田ペーストの溶融温度以上に加熱してバンプ電極上に半田を転写することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭52-140269
  
• 特開平3-225923
  
• 特開平2-034949