特許
J-GLOBAL ID：200903084975775563
パターン形成方法およびパターン形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189391
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055776
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】レジストパターンの表面における凹凸発生を抑制して、レジストパターン寸法の変動を抑制する。【構成】エネルギ線を照射されたレジスト膜52の上方に対向電極57を配置して、両者の間に現像液56が挾まれた形態とし、対向電極57に、電源58から正電位を印加して上記レジスト膜52の現像を行なう。【効果】レジスト膜52の突起部分に電界が集中するため、当該突起部分が自己整合的に除去されて、表面の凹凸によるパターン寸法の変動が効果的に低減される。
請求項（抜粋）：
被加工物上に形成されたレジスト膜の所望部分にエネルギー線を選択的に照射する工程と、上記レジスト膜を所望の現像液によって現像して所望のレジストパターンを形成する工程を含み、上記レジスト膜を現像する工程は、上記レジスト膜と上記現像液の間に所定の電位差を印加して行われることを特徴とするパターン形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 569 F
, H01L 21/30 569 C
