特許

J-GLOBAL ID：200903084976555508

薄膜トランジスタ液晶表示装置

発明者： 高田 尚美 ,  宇野 光宏 ,  田窪 米治 ,  浅田 智
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320278
公開番号（公開出願番号）：特開平8-179342
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 各画素に複数の副画素電極を有する薄膜トランジスタ液晶表示装置で、ドメインの発生を抑制し、またドメイン消失速度を速くして残像のない良好な表示特性を得る。【構成】 部材である2枚の基板と、この基板の少なくとも一方に複数の走査配線、信号配線をマトリクス状に配置し、各交差点に対応して薄膜トランジスタと画素領域を有し、各画素領域は複数の副画素電極で構成され、各副画素電極には互いに異なる電圧を印加する制御手段を有する薄膜トランジスタ液晶表示装置において、各副画素間の境界線が、液晶層に電圧を印加しない状態における液晶層の中間層の液晶分子の平均長軸方向に、20μm以上の直線域を含まない。

請求項（抜粋）：

部材である2枚の基板と、前記2枚の基板の少なくとも一方に、複数の走査配線、信号配線をマトリクス状に配置し、各交差点に対応して薄膜トランジスタと画素領域を有し、前記各画素領域は、複数の副画素電極で構成され、前記各副画素電極には、互いに異なる電圧を印加する制御手段を有する薄膜トランジスタ液晶表示装置において、前記各副画素間の境界線が、前記液晶層に電圧を印加しない状態における液晶層の中間層の液晶分子の平均長軸方向には、20μm以上の直線域を含まないことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/133 575 ,  G02F 1/1337 ,  G02F 1/136 500