特許

J-GLOBAL ID：200903084977770135

半導体装置

発明者： 田中 崇之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374643
公開番号（公開出願番号）：特開2003-172767
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 製造初期に発生する半導体装置25の不良品をスクリーニングするために行うバーンイン、特にウェーハレベルバーンイン中に発生する列不良を抑え、半導体装置25の歩留まりを向上させるようにする。【解決手段】 バーンイン中に、半導体装置25のテスト端子1により、内部回路2の動作をバーンイン用テストモードに切り替え、内部回路2のデータを通常の出力端子3ではなくバーンイン用出力端子4に出力する。バーンイン状態検知回路5は、バーンイン中に何らかの原因で半導体装置25が破壊し、バーンイン用出力端子4からデータが出力され続けるような状態に陥った場合に、トライステートバッファ6を制御してバーンイン用出力端子4をHiZにする。

請求項（抜粋）：

内部回路と、前記内部回路をバーンイン用テストモードに切り替える信号を入力するテスト端子と、前記バーンイン用テストモード時に前記内部回路のデータを出力する出力端子と、バーンインの状態を検知する検知回路と、前記検知回路の出力をHiZ切り替え信号に変換するトライステートバッファとを備える半導体装置であって、バーンイン実施時において、前記検知回路がバーンイン状態の異常を検知したときに、前記トライステートバッファが出力端子をHiZにするように構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/3185 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 31/26 H ,  H01L 21/66 H ,  G01R 31/28 V ,  G01R 31/28 W

Fターム (25件)：

2G003AA10 ,  2G003AC01 ,  2G003AD02 ,  2G003AD07 ,  2G003AF06 ,  2G003AH06 ,  2G132AA00 ,  2G132AB03 ,  2G132AB14 ,  2G132AD01 ,  2G132AD18 ,  2G132AE16 ,  2G132AE22 ,  2G132AF01 ,  2G132AG01 ,  2G132AK15 ,  2G132AK29 ,  2G132AL04 ,  2G132AL11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA04 ,  4M106AC13 ,  4M106BA01 ,  4M106CA56 ,  4M106DD11