特許

J-GLOBAL ID：200903084981499195

W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法

発明者： ヒュンスク アレクサンダー ユーン ,  マイケル エックス ヤン ,  ミン シ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266507
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124488
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 酸化物の層上にタングステン(W)の膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 タングステンの膜204は、シランベースのガス混合体(例えば、SIH6、SiCl2H2およびそれらの組合せ)を用いて酸化物202を処理し(図2a)、続いて、W(CO)6の先駆物質を約250°Cから550°Cの温度範囲で熱分解することによって酸化物層の上に形成される(図2b)。タングステンの膜204が堆積された後、孔202Hは導電性材料206で満たされる。W(CO)6の先駆物質が熱分解された後、タングステンヘキサフルオライド(WF6)の熱分解からタングステンの追加の層をその上に任意に形成することができる。

請求項（抜粋）：

集積回路の製造のための薄膜の堆積方法であって、(a)シリコン化合物を含むガス混合物を用いて基板を処理するステップと、(b)前記基板上に1またはそれ以上のタングステン(W)の膜を形成するステップと、を有することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/16 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/16 ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (38件)：

4K030AA06 ,  4K030AA12 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF21 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK00 ,  5F033NN03 ,  5F033PP03 ,  5F033PP04 ,  5F033PP09 ,  5F033PP33 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX10