特許
J-GLOBAL ID：200903084994339715
光電変換装置及び結晶性Si薄膜の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384761
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188398
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】高い光電変換特性を有した光電変換装置を得ることを課題とする。【解決手段】透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、p層,i層及びn層からなるpin型又はnip型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置において、p層,i層及びn層すべてあるいは少なくともi層は結晶性Si薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<110>に極大値をもち、方位<110>から15°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<110>における体積の半分以下であることを特徴とする光電変換装置。
請求項（抜粋）：
透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、p層,i層及びn層からなるpin型又はnip型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置において、p層,i層及びn層すべてあるいは少なくともi層は結晶性Si薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<110>に極大値をもち、方位<110>から15°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<110>における体積の半分以下であることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 N
, H01L 31/04 X
4M106AA01
, 4M106AB09
, 4M106CB17
, 4M106CB19
, 4M106CB30
, 4M106DH25
, 4M106DH34
, 5F051AA03
, 5F051CB12
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F051KA09
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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