特許
J-GLOBAL ID：200903084998540954
半導体材料のプラズマ除去法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175918
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153739
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 より少量の三弗化窒素を利用しながら、より完全なエッチング洗浄を達成させることを目的とする。【構成】 本発明の方法はNF3を電気的陽性の希釈剤、好ましくはアルゴンと所定の濃度、圧力、流量及び出力で混合して用い可能な限りの最高のエッチング速度を達成する。加工される被膜のエッチング速度を、希釈剤中のNF3の濃度を適当な希釈剤を作業条件を選ぶことにより下げても増加させることが可能である。この方法はエッチング速度を上げることにより、この方法を用いる反応器の処理量を増大させるだけでなく、この仕事を低濃度のNF3で達成もでき結果として原価が安くなる。
請求項（抜粋）：
弗素と反応する半導体材料を表面からプラズマ除去する方法であって、半導体材料を約10乃至25%の三弗化窒素のプラズマと三弗化窒素より、更に電気的陽性の希釈剤の中で、約600乃至1,700mトルの範囲の圧力と、約0.4乃至1.4w/cm2の範囲の出力で接触させる工程からなる方法。
引用特許：
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