特許

J-GLOBAL ID：200903084999072733

低密着性不導体材料のEMIシールド用部分めつき方法

発明者： 佐藤 一也 ,  喜多 利行 ,  川岸 重光 ,  奥野 和義
出願人/特許権者： 奥野製薬工業株式会社
代理人 (1件)： 掛樋 悠路 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-140755
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】EMIシールドめっきを必要とする低密着性不導体材料上に、密着性に優れ且つ外観が良好なめっき被膜を得ること。【構成】低密着性不導体材料上のめっきを必要とする部分に塗料化された樹脂を塗布し、次いで無電解めっきを施すことを特徴とする低密着性不導体材料のEMIシールド用部分めっき方法。

請求項（抜粋）：

低密着性不導体材料上のめっきを必要とする部分に塗料化された樹脂を塗布し、次いで無電解めっきを施すことを特徴とする低密着性不導体材料のEMIシールド用部分めっき方法。

IPC (3件)：

C23C 18/20 ,  C23C 18/31 ,  H05K 9/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-202478
  
• 特開平1-312080
  
• 特開平3-271375
  
• 特開平4-006277