特許
J-GLOBAL ID：200903085000194795
GaN系半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
森下 賢樹
, 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085155
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296640
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】ハイドライド気相成長法により、良質なGaN系半導体層を高速で成長させることのできる方法を提供する。【解決手段】窒素元素を含むV族原料ガスと、Gaおよびハロゲンを含む化合物からなるIII族原料ガスとを基板表面に供給する工程において、III族原料ガスの供給流量に対するV族原料ガスの供給流量の比により規定されるV/III比を、0.1以上10未満とする。たとえばグラフ中のaに示されるようにV/III比を5〜9程度の値とする。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
ハイドライド気相成長法により基板上にGaN系半導体層を成長させる方法であって、
窒素元素を含むV族原料ガスと、Gaおよびハロゲンを含む化合物からなるIII族原料ガスとを基板表面に供給する工程を含み、
前記III族原料ガスの供給流量に対する前記V族原料ガスの供給流量の比により規定されるV/III比を、0.1以上10未満とすることを特徴とするGaN系半導体層の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/205
, H01S5/343 610
5F045AA08
, 5F045AB14
, 5F045AC13
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF04
, 5F045BB02
, 5F045BB09
, 5F045BB11
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EE12
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB04
, 5F073DA07
, 5F073DA35
