特許

J-GLOBAL ID：200903085000821528

不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法

発明者： 濱 崎 拓 也
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293555
公開番号（公開出願番号）：特開2002-108716
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 特に暗号化処理を行う構成と組み合わせることにより、記憶されたデータをほぼ完全に保護することが可能な構成を有する不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法は、各アドレスのメモリセルに記憶されたデータの読出回数を、予め設定される所定の読出回数に制限し、上記所定の読出回数のデータ読出が終了したアドレスのメモリセルのデータを消去するものである。

請求項（抜粋）：

各アドレスのメモリセルに記憶されたデータの読出回数を、予め設定される所定の読出回数に制限し、前記所定の読出回数のデータ読出が終了したアドレスのメモリセルのデータを消去することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G06F 12/14 320 ,  G06F 12/14 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (6件)：

G06F 12/14 320 F ,  G06F 12/14 320 D ,  G11C 17/00 601 U ,  G11C 17/00 612 Z ,  G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 632 Z

Fターム (11件)：

5B017AA03 ,  5B017BA08 ,  5B017BB10 ,  5B017CA12 ,  5B025AD01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD10 ,  5B025AD15 ,  5B025AE10