特許
J-GLOBAL ID：200903085003360963

半導体装置の製造方法

発明者：
松原 直輝

松原 直輝 について

, 
水原 秀樹

水原 秀樹 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-038800
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313338
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、信頼性高い多層配線を有するデュアルダマシン構造の半導体装置を適用することにある。【解決手段】 第1の配線(11)の上に保護膜(12)を形成した後、改質SOG膜(13a)を設ける。この改質SOG膜(13a)上にエッチストッパ膜(14)を形成した後、改質SOG膜(15a)を形成する。レジストパターンを用いて改質SOG膜(15a)、エッチストッパ膜(14)、改質SOG膜(13a)をエッチング除去してビアホール(17)を形成する。レジストパターンを用いて改質SOG膜(15a)をエッチング除去し、溝配線部分となる凹部(19)を形成する。表面に露出したエッチストッパ膜(14)及び保護膜(12)を除去した後、導電体材料(20)を充填してビアホールの導電プラグと第2の配線を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の配線の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に塗布膜を形成し、この塗布膜に不純物を注入して改質した第2の絶縁膜を形成する工程と、この第2の絶縁膜上にエッチストッパとなる第3の絶縁膜を形成する工程と、この第3の絶縁膜上に塗布膜を形成し、この塗布膜に不純物を注入して改質した第4の絶縁膜を形成する工程と、第4の絶縁膜と第3の絶縁膜と第2の絶縁膜をエッチング除去してビアホールを形成する工程と、溝配線部分となる凹部を形成するために第4の絶縁膜をエッチング除去する工程と、表面に露出した第3の絶縁膜と第1の絶縁膜をエッチング除去する工程と、凹部に導電体材料を充填してビアホールの導電プラグと第2の配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 A
Fターム (32件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ63 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ66 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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