特許

J-GLOBAL ID：200903085005650063

誘電体粒子の製造方法および誘電体膜の製造方法

発明者： 森 三佳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050623
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240469
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、焼成温度が比較的低温でペロブスカイト構造を有するPLZT膜を製造するための誘電体粒子の製造方法および焼成温度が比較的低温でペロブスカイト構造を有するPLZT膜を製造することができる誘電体膜の製造方法を提供する。【解決手段】 金属アルコキシド溶液を基板に霧状に塗布して、焼成および冷却することにより誘電体粒子を製造する。そして、その誘電体粒子を金属アルコキシド溶液に混合し、基板に金属アルコキシド溶液を塗布する。基板へ塗布する際、予め金属アルコキシドをヒーターにより加熱しながら行う。これにより、焼成工程において、従来より低温の焼成でペロブスカイト構造の多結晶のPLZT膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

金属アルコキシド溶液または金属アセチルアセトン溶液を基板に霧状に塗布する工程と、前記金属アルコキシド溶液または前記金属アセチルアセトン溶液を塗布した前記基板を焼成する工程とを含むことを特徴とする誘電体粒子の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/49 ,  C01B 13/32 ,  C01G 25/00

FI (3件)：

C04B 35/49 Z ,  C01B 13/32 ,  C01G 25/00

Fターム (17件)：

4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G042DA02 ,  4G042DB08 ,  4G042DD10 ,  4G042DE09 ,  4G042DE14 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AD03 ,  4G048AD08 ,  4G048AE08