特許

J-GLOBAL ID：200903085006068872

バイポーラトランジスタ並びに該バイポーラトランジスタを用いた増幅器および集積回路

発明者： 三井 茂 ,  園田 琢二 ,  紫村 輝之 ,  高宮 三郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-083011
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279561
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 従来のエミッタバラスト方式のようにエミッタ電極からの放熱を妨げず、再現性良く製造でき、さらにRF電力利得の低減を抑制できるバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。【構成】 エミッタ接地バイポーラトランジスタ(HBTを含む)において、ベース電極に、ベース層よりなるベースバラスト抵抗1を接続し、且つ、ベースバラスト抵抗1に並列なベース並列容量2を設けた。ベース並列容量2として、金属/絶縁体/金属キャパシタの接合またはベース/エミッタの接合容量を用いた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたベース層、エミッタ層、コレクタ層およびベース電極、エミッタ電極、コレクタ電極を備え、上記ベース電極に、上記ベース層よりなるベースバラスト抵抗を接続し、且つ、上記ベースバラスト抵抗に並列なベース並列容量を設けたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ベース・バラストを備えた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-278516   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭55-165672
  
• 特開昭55-165672