特許

J-GLOBAL ID：200903085006149252

半導体装置の製造方法

発明者： 中西 俊郎 ,  石川 健治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075022
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269483
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜と比較して誘電率が高い物質の膜を用いる場合、シリコン表面に自然酸化膜が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁膜の反応に起因する酸化膜が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。【解決手段】 ゲート絶縁膜形成工程に在るシリコン・ウエハ1を水素プラズマ・ダウン・フロー処理して自然酸化膜の除去を行い、稀ガス雰囲気中でプラズマ照射してシリコン原子の結合を切断し、N2 を含む雰囲気中でプラズマ照射して窒素とシリコンとを結合させてシリコン・ウエハ1上に第一のゲート絶縁膜4を生成させ、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行ってから第一のゲート絶縁膜4上にシリコン酸化膜に比較して誘電率が高い物質からなる第二のゲート絶縁膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタのゲート絶縁膜形成工程に在るシリコン・ウエハを水素プラズマ・ダウン・フロー処理でシリコン面の自然酸化膜を除去してから稀ガス雰囲気中でプラズマ照射してシリコン原子の結合を切断する工程と、次いで、N2 を含む雰囲気中でプラズマ照射して窒素とシリコンとを結合させてシリコン・ウエハ上にシリコン窒化膜からなる第一のゲート絶縁膜を生成させる工程と、次いで、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行ってから前記第一のゲート絶縁膜上にシリコン酸化膜に比較して誘電率が高い物質からなる第二のゲート絶縁膜を形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (4件)：

5F040DC01 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04