特許

J-GLOBAL ID：200903085009564692

半導体加速度センサ素子

発明者： 青木 亮 ,  片岡 万士 ,  江田 和夫
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-126606
公開番号（公開出願番号）：特開2003-315357
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【課題】 電極からセンサ素子への応力の影響を緩和して検出精度の向上した半導体加速度センサ素子を提供すること。【解決手段】 半導体基板からなるフレーム1と、その内方に弾性を有するビーム2,2により揺動自在に支持された重り部3と、ビーム2に設けられて作用する加速度により抵抗値の変化するピエゾ抵抗21,21,...と、フレーム1に設けられてピエゾ抵抗21,21からの信号を取り出す電極4,4,...と、からなる半導体加速度センサ素子。フレーム1上に電極4,4,...を包囲するように溝5を形成した半導体加速度センサ素子。

請求項（抜粋）：

半導体基板からなるフレームと、その内方に弾性を有するビームにより揺動自在に支持された重り部と、ビームに設けられて作用する加速度により抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、フレームに設けられてピエゾ抵抗からの信号を取り出す電極と、を有する半導体加速度センサ素子において、前記フレーム上に電極を包囲するように溝を形成したことを特徴とする半導体加速度センサ素子。

IPC (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/12 D ,  H01L 29/84 A

Fターム (18件)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA22 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA28 ,  4M112DA03 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112DA15 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112FA01 ,  4M112FA09 ,  4M112FA20