特許
J-GLOBAL ID:200903085024463150

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-154359
公開番号(公開出願番号):特開2000-058592
出願日: 1999年06月01日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】従来、半導体装置の小型化、高信頼性化や低コスト化に限界がある。【解決手段】半導体素子6と、回路基板8と、半導体素子6と回路基板8と間に配置される基材1と、基材1に設けられた孔に充填され、半導体素子6の端子電極7と回路基板8の内側接続電極9とを電気的に接続する導電性ペースト10とを備えることを特徴とする半導体装置。
請求項(抜粋):
半導体素子と、回路基板と、前記半導体素子と前記回路基板と間に配置される基材と、前記基材に設けられた孔に充填され、前記半導体素子の端子電極と前記回路基板の内側接続電極とを電気的に接続する導電性ペーストとを備えることを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (8件)
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