特許

J-GLOBAL ID：200903085025915683

高密度ITOターゲットの製造方法

発明者： 一安 六夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  株式会社安来精密
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042870
公開番号（公開出願番号）：特開平5-239632
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：

【要約】【目的】 スパッタ電圧や膜生成速度の安定および良好な生成薄膜のエッチング性等、長寿命をもたらす高密度ITOターゲットの経済的な製造方法の提供。【構成】 原料粉末を500°C以上、70MPa以上の昇温・圧力下で圧密した後、1350°C以上の温度で焼成する。

請求項（抜粋）：

In2O3,SnO2を主成分とするITOスパッタリングターゲットの製造方法において、原料粉末を500°C以上、70MPa以上の昇温・圧力下で圧密する工程を包含することを特徴とする高密度ITOターゲットの製造方法。