特許
J-GLOBAL ID：200903085026059713

電磁波検出装置

発明者：
森下 正和

森下 正和 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076393
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345440
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 残像や電荷の漏れ出しを抑制し、高いエネルギーの電磁波が入射しても誤動作が生じ難くする。【解決手段】 入射した電磁波を電荷に変換する変換素子1と、変換素子で変換された電荷を蓄積する蓄積容量2と、蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すための読み出し用薄膜トランジスタ4と、一端が蓄積容量に接続され、ゲートにオン電圧が印加されて蓄積容量にリセット電位を与えるリセット用薄膜トランジスタ3と、を有する電磁波検出装置において、蓄積期間中にリセット用薄膜トランジスタのゲートに印加するオフ電圧が、蓄積期間中に読み出し用薄膜トランジスタのゲートに印加するオフ電圧より、オン電圧に近い値に設定されている。
請求項（抜粋）：
入射した電磁波を電荷に変換する変換素子と、前記変換素子で変換された前記電荷を蓄積する蓄積容量と、前記蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すための読み出し用薄膜トランジスタと、一端が前記蓄積容量に接続され、ゲートにオン電圧が印加されて前記蓄積容量にリセット電位を与えるリセット用薄膜トランジスタと、を有する電磁波検出装置において、蓄積期間中に前記リセット用薄膜トランジスタのゲートに印加するオフ電圧が、前記蓄積期間中に前記読み出し用薄膜トランジスタのゲートに印加するオフ電圧より、前記オン電圧に近い値に設定されていることを特徴とする電磁波検出装置。
IPC (9件)：
H01L 27/146 ,  G01T 1/00 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335
FI (10件)：
G01T 1/00 B ,  G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 F ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 F ,  H01L 27/14 K ,  H01L 29/78 614 ,  H01L 31/00 A
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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