特許
J-GLOBAL ID：200903085026583684
高周波トランジスタ構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250760
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090434
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】リードが同一平面内にある高周波トランジスタをストリップライン基板に実装する際に、不要インピーダンスを少なくするようにトランジスタリード位置を変えている。【構成】トランジスタチップ1,ケース4,内部配線及び取り出し高さの異なる接地接続リード9、非接地リード7,8より構成される。
請求項（抜粋）：
高周波トランジスタチップの非接地リードと接地リードとをマイクロストリップ基板の伝送線路パターンとグランドパターンとに接続する高周波トランジスタ構造において、接地リードと、非接地リードの取り出しに段差を持たせることでマイクロストリップ基板のグランドパターンと接地リードとの間の距離を短くする事を特徴とする高周波トランジスタ構造。
IPC (4件)：
H01L 23/12 301
, H01L 21/52
, H01P 5/08
, H03F 3/60
