特許

J-GLOBAL ID：200903085026951691

O3 -TEOSによるNSG膜の成膜方法

発明者： 栗原 久明 ,  斎藤 正樹 ,  上月 貴晶
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093173
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008026
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】 全体的な量を増大させることなく、絶対段差の小さいO3 -TEOSによるNSG膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 本発明方法は、主面上にアルミニウム配線層24を形成した基板22に熱処理を施しつつ酸素プラズマ処理を行う第1工程(図1(a))と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2膜26を形成する第2工程(図1(b))と、更に、SiO2 膜上にO3 -TEOSによりNonedoped Silicate Glass(NSG)膜28を形成する第3工程(図1(c))とを備えている。好適には、200°C〜450°Cの範囲の基板の加熱温度、600Pa〜3000Paの範囲のチャンバ圧力、400sccm〜2000sccmの範囲の酸素ガス流量、及び、1.2W/cm2〜3.2W/cm2の範囲の基板上の放電出力密度の条件で第1工程を行う。

請求項（抜粋）：

アルミニウム配線層を主面上に形成した基板に熱処理を施しつつ酸素プラズマ処理を行う第1工程と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を形成する第2工程と、更に、SiO2 膜上にO3 -TEOSによりNone-doped Silicate Glass (NSG)膜を形成する第3工程とを備えることを特徴とするO3 -TEOSによるNSG膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 P