半導体装置の製造方法および研削装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314086
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135600
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】半導体チップの割れや欠けの発生を防止でき、かつ、半導体チップの厚さのばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法、およびこの半導体装置の製造方法に用いられる研削装置を提供する。【解決手段】研削装置20の定盤23の上面には、光源27が透明盤24に臨んで配置されている。研削パッド25には、光源27に対応する位置に光通過孔28が形成されている。一方、ウエハヘッド21の下面には、光源27からの光を検出するための光検出器29が配置されている。研削パッド25による半導体ウエハWの裏面研削が進み、光検出器29が光通過孔28を通過してくる光を検出すると、半導体ウエハWの被研削面が切り溝12に到達したと判断される。そして、被研削面の切り溝12への到達が検出されてから所定時間が経過すると、半導体ウエハWの裏面研削が終了される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを半導体チップの個片に分割して半導体装置を製造する方法であって、半導体ウエハの表面に、所望する半導体チップの外形に応じたパターンの切り溝を形成する溝形成工程と、この溝形成工程の後に、ウエハ保持手段で半導体ウエハの表面を保持する保持工程と、上記ウエハ保持手段に保持された半導体ウエハの裏面を研削盤によって研削する裏面研削工程と、この裏面研削工程中に上記切り溝を通ってくる光を検出し、これに基づいて、上記裏面研削工程の終了タイミングを決定する終了タイミング決定工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 601 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L 21/304 601 B , H01L 21/304 621 B , H01L 21/304 622 G , H01L 21/304 622 S

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